SI3460DV-T1-GE3

Hersteller-Teilenummer:	SI3460DV-T1-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Datenblätte:	SI3460DV-T1-GE3.pdf
RoHs Status:	Lead free / RoHS Compliant
Zustand des Lagers:	25301 pcs Stock
ECAD -Modell:
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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ArtikelnummerSI3460DV-T1-GE3
HerstellerElectro-Films (EFI) / Vishay
BeschreibungMOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel
Teilstatus25301 pcs Stock
VGS (th) (Max) @ Id450mV @ 1mA (Min)
Vgs (Max)±8V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse6-TSOP
SerieTrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Verlustleistung (max)1.1W (Ta)
VerpackungTape & Reel (TR)
Verpackung / GehäuseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Typ FETN-Channel
FET-Merkmal-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)20V
detaillierte BeschreibungN-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C5.1A (Ta)
SI3460DV-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English]SI3460DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf

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