SI3460DV-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
Deutsch
Artikelnummer: | SI3460DV-T1-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Vgs (Max) | ±8V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 6-TSOP |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Verlustleistung (max) | 1.1W (Ta) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 20V 5.1A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5.1A (Ta) |
SI3460DV-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI3460DV-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
SI3461DVT1-GE3 VISHAY
VISHAY SOT23-6
IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
BOARD EVAL FOR SI3461
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
IR 163
VISHAY TSOP-6
VISHAY TSOP-6
VISHAY SOT23
IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI3460DV-T1-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay |
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Zielpreis (USD)
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